索尼华住电气股价大涨逾15%，突破1万亿美元市场资本化关口

2026年5月6日，索尼华住电气的股价大涨，推动芯片巨头的市场资本化超越1万亿美元。投资者继续往人工智能相联股票中倾注资金。

索尼华住成为第二个跻身1万亿美元巨头的亚洲公司，追随台积电而后者成为第一。

据FactSet 数据，公司首次突破这一1万亿美元市场资本化阈值，是2月26日。公司的股价已创下历史新高，其市场资本化继续攀升，打破单日最大涨幅记录，据FactSet数据显示。

此次股价大涨是索尼华住电气上周度过历史记录高季度收益之后的直接继承其第一季度销售额大增。该公司的营业利润跃升近8倍至5,720亿元，同期销售额增加到新创高点11,390亿元。

索尼华住电气的第一季度营业利润也超过了2025年全年45,600亿韩元。

股价大涨也受到彭博社的报道的鼓舞，报道称苹果与索尼华住电气和英特尔正在商谈，考虑为苹果产品在美国生产芯片，降低与台积电长期供应链依赖的风险。

韩国芯片巨头SK Hynix股价也上涨超过10%，推动KOSPI指数超越5%，首次突破7,000点。

高带宽内存（HBM）芯片的销售额大增，为索尼华住带来了丰厚利润，但该公司还面临着强大竞争压力，因为同业天下第一的HBM芯片供应商SK Hynix窃取了这场竞争的先机。

索尼华住电气一直致力于在快速生长的AI内存市场跟随SK Hynix缩小差距。在2月份，该公司宣布其已成为第一个开始在全球范围内大规模生产HBM4芯片，并向某些客户发货。

HBM4代表第六代最新高带宽内存技术。这类芯片将成为英伟达即将推出的Vera Rubin AI架构中的核心成分，这一架构可帮助数据中心中的ai运行。

分析师指出，索尼华住电气股价大涨是由于人工智能相关内存需求暴增，内存供应紧张和高带宽内存芯片竞争力的显著增强。

“由于AI大量的带宽和存储需求，导致了DRAM和NAND内存芯片的缺货情况非常严重，十分紧张。”早上星科技股权分析师余晶杰表示。

DRAM芯片是快速易变内存芯片，其功能在处理器正在使用时暂时存存数据，而NAND芯片则是较慢、非易变存储芯片，其存储数据即使设备关闭也不会丢失。

尽管内存制作商正试图扩产、余晶杰还进一步指出，新半导体产能通常需要两到三个年才能上线工作，这意味着供应仍可能在短期内受到限制。这促使市场预期，索尼华住和其竞争对手将继续增强其业绩增长和利润边际。

即使随着未来几年内的众多新工厂投产，这里的高内存价格和强劲的索尼华住和其竞争对手业绩将可能持续一段时间。说起对此，罗夫卜尔克（Rolf Bulk）， Futurum集團半导体和基础设施主管，提到当下客户对最新一代HBM4产品的反馈十分积极，这有助于加速缩小与SK Hynix的技术差距。

尽管SK Hynix仍占据高带宽内存市场份额55%，而索尼华住电气仅占据25%，罗夫卜尔克说投资者对这段差距并不那么关心，因为DRAM芯片的正常运营利润已经超越HBM芯片，这使得人们变得更不对该差距失望了。