摘要：

三星电子确认，其位于得克萨斯州泰勒的第二座代工厂（本月开工）的全部产能将用于向AMD和Nvidia供应HBM基板硅片。该厂将采用2奈米级工艺，计划于2029年2月进行设备搬入，2030年开始量产，占地面积是Fab 1的1.5倍。自HBM4以来，基板硅片已承担定制逻辑功能，成为影响代工竞争力的关键变量，三星计划将韩国生产的DRAM核心硅片与美国生产的基板硅片相结合。

上个月，三星股价因传闻三星与全球最大芯片制造商TSMC合作，为NVIDIA全新推出的NVHBM内存标准提供基板硅片而大幅下跌。NVHBM在3D HBM堆叠中集成控制器，显著提升性能和效率。与标准HBM4E相比，NVIDIA声称最高可实现30%的更高带宽、15%的更低HBM功耗，以及最高25%的可用计算硅片面积。尽管三星拥有自己的3纳米生产线，但NVIDIA的IP已针对TSMC的工艺节点进行优化，这迫使三星必须与TSMC合作并成为客户，尽管其拥有自有的生产能力。

然而，今日的报告证明，Samsung的Taylor Fab——此前被描述为三星长期战略得以实现的地方，即将从记忆制造商转型为集代工和封装于一体的交钥匙解决方案公司——正在按计划实现。这也可能显著提升Taylor Fab的2nm良率，从而为更多高规格CPU/GPU订单提供可能。

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